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全球存储芯片价格持续攀升 国内上市公司加大研发

2024-07-02 21:07  来源:亚美电竞(中国)有限公司 

    本报记者 丁蓉

    全球存储芯片行业景气度持续提升。从存储芯片最主要的两大类产品DRAM(动态随机存取存储器)和NAND Flash(闪存存储器)来看,根据TrendForce集邦咨询预估数据,2024年第一季度DRAM价格环比增长20%,第二季度增长13%至18%,第三季度将增长8%至13%;NAND Flash第一季度价格环比增长23%至28%,第二季度增长15%至20%,第三季度将增长5%至10%。

    智帆海岸机构首席顾问、资深产业经济观察家梁振鹏向《证券日报》记者表示:“存储芯片的涨价主要基于供需关系变化,涨价初期主要由于存储大厂控制产能强势拉动,目前已经逐步转为由市场需求带动涨价。”

    存储芯片今年以来涨价频繁

    近日,三星已向包括戴尔科技、慧与在内的主要客户通报了涨价计划,准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15%至20%。今年以来,三星已经多次调价。

    除了三星之外,另外两大存储巨头SK海力士和美光公司也频频传出涨价消息。SK海力士5月份称,将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价。美光公司则在4月份向多数客户提出调升产品报价。

    从全球市场竞争格局来看,根据集邦咨询统计的2024年第一季度全球DRAM企业营收数据,三星、SK海力士和美光公司分别占全球存储市场44%、31%、22%的份额。这三家厂商产品价格的上调,带动了行业景气度的整体提升。

    A股存储赛道头部企业兆易创新近日在投资者互动平台表示:“公司DRAM、SLC NAND价格自底部已经实现温和上涨,其它产品线上公司会持续保持对市场情况的紧密跟踪,考虑多方因素综合判断,随着市场演变及时做调整。”

    佰维存储近日在接受投资者调研时表示:“随着存储市场将在第三季度进入传统旺季,受益于人工智能服务器需求迅猛增长等因素,海外存储需求持续高涨,国内需求有所回落,但整体来看行业景气度有望延续。”

    上市公司加大研发创新

    “由于全球人工智能产业的快速发展,HBM(高频宽存储器)正面临供不应求的市场现状,目前市场需求缺口较大。此外,DDR5也是涨幅较大品类。三星、SK海力士与美光公司都积极将DRAM的部分产能转为生产HBM,导致DRAM供给减少及价格快速上扬。”梁振鹏表示。

    全球内存接口芯片龙头澜起科技在内存接口芯片领域潜心研发,先后推出了DDR2至DDR5系列内存接口芯片。澜起科技近日在接受机构调研时表示:“目前,DDR5世代已经开启子代迭代,公司研发进度领先,并持续巩固在该领域的市场领先地位。”

    存储模组龙头江波龙自研存储芯片业务逐步推进,公司具备了从存储晶圆设计、生产端深入理解各类存储晶圆特性的能力,形成从小容量存储到大容量存储的体系化竞争优势。对于HBM产品方面,江波龙表示,目前公司虽然无法生产HBM,但子公司元成苏州具备HBM技术涉及的晶圆高堆叠封装量产能力。

    作为“半导体行业风向标”,存储芯片已于2023年下半年率先启动上涨,并实现价格持续攀升。展望今年下半年,华福证券分析师杨钟在研报中表示:“人工智能服务器领域需求持续走强,智能手机等仍有库存回补需求,各品牌厂商与原始设计制造商或将重启备货,同时工控与车用领域也有望逐步回暖,从而带动存储市场增长,存储价格可能延续上涨格局。”

(编辑 李波 上官梦露)

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